上周美光股价累计回撤超过13%，市场一片观望。但5月20日JP摩根技术会议上，公司运营执行副总裁Manish Bhatia的一席讲话迅速扭转了情绪——当日股价收涨约4.8%，报731.99美元（629.20欧元），不过距5月13日的52周高点尚有8%左右的距离。Bhatia给出了数月来最乐观的业绩前瞻：第三财政季度自由现金流将创下历史新高，且公司资产负债表已获三大评级机构上调评级，处于史上最强水平。
供需失衡才是本轮周期的核心逻辑，而非短期波动。Bhatia强调，无论是HBM、DRAM还是NAND，整个存储市场的供应瓶颈将持续至2026年末甚至2027年。背后原因并非典型周期性暴涨，而是结构性因素共同作用：新DRAM和NAND节点的效率提升远不及以往，HBM芯片需要更大晶圆面积导致单位产量下降，新建晶圆厂的投产周期也显著拉长。与此同时，AI工作负载正从人机交互转向自主机器进程，内存消耗呈指数级上升。
HBM路线图是美光最亮眼的加速器。HBM4的量产爬坡速度达到前一代HBM3E的两倍，且良率持续改善。该芯片搭载美光自研的1-Beta DRAM以及内部开发的基片（Base Die），下一代HBM4E也已经进入前期开发阶段，第一款符合JEDEC标准的组件计划于2027年进入批量生产。
价格上行给美光提供坚实支撑。一季度DRAM均价环比飙升90%至95%，公司预期二季度将再涨58%至63%。为应对持续旺盛的需求，美光本财年资本开支超过250亿美元，投向爱达荷、纽约、台湾及日本的产能扩建项目。行业层面，三星与工会达成临时协议避免了原计划18天的罢工——若发生将危及全球约三分之一DRAM供应；Nvidia同日公布的季度营收达到816.2亿美元，进一步印证AI基础设施投资的不可逆趋势。
分析师集体上调目标价。HSBC将目标从750美元劲升至1100美元，预计DRAM市场2026年将增长69%，本轮上升周期将持续四到五年，远超历次两年左右的表现。Citigroup将目标价翻倍至840美元，预期2026年DRAM均价同比涨200%，NAND涨约186%。Mizuho升至800美元，维持“跑赢大盘”评级。就即将到来的季度业绩，市场预期营收33.6亿美元，较上年同期飙升261%，每股盈利19.02美元——相当于接近十倍的利润爆发。
截至5月20日，美光年内涨幅达到134%，但距近期高位仍有差距。相对强弱指数（RSI）已回落至36附近，短期呈现超卖信号。6月底的财报将是第一个业绩验证节点，而供需平衡拐点遥遥无期，令这轮存储超级周期的想象空间仍在持续扩展。
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