美光科技（Micron）在美国本土存储芯片制造上完成了一次极具象征意义的跨越。5月22日，弗吉尼亚州马纳萨斯（Manassas）晶圆厂正式启动1α DRAM节点量产，这是美国境内迄今最先进的存储芯片制程。该节点将使DDR4晶圆产能扩大四倍，产品锁定汽车、国防、航空航天、工业网络和医疗等关键领域。商务部长霍华德·卢特尼克、贸易代表杰米森·格里尔以及两位弗吉尼亚州联邦参议员到场站台，华盛顿对半导体供应链自主化的政治决心表露无遗。
几乎同一时间，美光在AI存储赛道也传来提速信号。公司高管马尼什·巴蒂亚在摩根大通行业会议上披露，面向英伟达下一代“Vera Rubin”GPU的HBM4内存，其产能爬坡速度将是上一代HBM3E的两倍。当前美光的HBM3E产品已部署在多款AI加速器平台，但供给严重滞后——客户实际到货量仅占订购量的50%至66%，结构性短缺愈演愈烈。
为填补缺口，美光启动罕见的大规模扩产。除弗吉尼亚外，还将在爱达荷、纽约、台湾、新加坡和印度新建五座晶圆厂。印度工厂已正式进入商业化运营，隶属于“印度半导体使命”，目标到2030年覆盖该国75%的本地芯片需求。制造设备层面，美光与ASML签订了多年期EUV光刻机供货协议，锁定先进工艺产能。
政策面同样传来利好。贸易代表格里尔本周明确表示，美国正研究对进口半导体加征关税，但短期内不会立即实施。其战略目标是两至三年内将全球50%的芯片产能迁回美国。作为《芯片与科学法案》的最大受益者之一，美光已承诺在美国投入约2000亿美元建设产能。关税一旦落地，将使其本土工厂在成本竞争中进一步拉开对亚洲对手的优势。
强劲需求已反映在财报中。2026财年第二季度，美光实现营收238.6亿美元，同比增幅接近两倍，其中DRAM贡献约79%的收入。股价上周五收于647欧元，年初至今累计飙升逾140%，过去12个月涨幅更达到约670%。市盈率已拉高至35.5倍，远超五年中位数20.7倍，但机构仍趋之若鹜。
华尔街分析师集体上调目标价。花旗将目标价从425美元翻倍至840美元，核心逻辑是DRAM价格季度环比跳涨40%；HSBC与Melius Research双双给出1100美元的最高目标；美银美林设为950美元；瑞穗则为800美元。分析师普遍认为，美光在DRAM和NAND领域的定价能力至少能延续到2027年，供需失衡短期内无解。
下一份业绩答卷将于6月24日揭晓。市场一致预期营收约336亿美元，每股收益19.02美元。HBM的发货量与价格将成为验证乐观目标价的关键标尺。当前股价距52周高点685欧元仅有约6%的距离，多重催化剂下，机构对美光的进攻态势仍抱以高度期待。
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