连续两个交易日，美光科技（Micron）的股价遭遇下行压力。此番波动源于行业动态：三星电子宣布将比预期更早启动新一代HBM4存储芯片的大规模生产，此举可能令其美国竞争对手陷入被动。
竞争格局生变：三星与SK海力士或成主导
据韩国媒体《Business Korea》报道，半导体分析机构SemiAnalysis指出，在英伟达即将推出的Vera Rubin AI加速器平台的初始HBM4供应商名单中，美光可能被排除在外。原因在于，这家总部位于爱达荷州的芯片制造商未能达到英伟达为HBM4设定的性能标准。
具体而言，英伟达在2025年第三季度将HBM4的数据传输速度要求提升至每秒11千兆比特以上。行业消息人士称，美光目前未能实现这一技术指标。根据SemiAnalysis的预测，英伟达Vera Rubin平台的HBM4供应量将由SK海力士占据70%，三星电子拿下30%。原本预期的三强争霸局面，正朝着双寡头垄断的方向演变，这无疑将增强三星和SK海力士在后续价格谈判中的话语权。
三星获英伟达认证，量产进程提前
本周一与周二，美光股价均下跌约3%。直接诱因是韩国联合通讯社（Yonhap）的报道：三星电子已获得英伟达的质量认证，并确保了为后者Vera Rubin平台供货的订单，计划于本月内开始HBM4芯片的大规模生产。
这一进展使得美光的处境变得微妙。尽管面临挑战，市场观点仍存在分歧。瑞穗证券（Mizuho Securities）便强烈反驳了关于美光出局的报道，称其“缺乏依据”。该投行认为，英伟达有意愿多元化其供应商基础。美光的管理层也曾在先前的分析师会议上，否认过自身存在性能问题。
高增长市场中的机遇与挑战
此次股价回调发生在一轮惊人的上涨之后。过去十二个月，受AI数据中心对高性能存储需求激增的推动，美光股价累计上涨约300%。在2025财年，公司营收达到373.8亿美元，高于上一财年的251.1亿美元，其中HBM芯片贡献了约56亿美元。
HBM市场依然是核心增长引擎。据TrendForce预测，到2026年，AI数据中心将消耗全球HBM产量的70%。彭博社数据则显示，整个HBM市场规模有望从2023年的40亿美元增长至2030年的1300亿美元。
面对巨大需求，美光已售罄2026年的全部HBM产能，并计划投资200亿美元以扩大生产。其位于美国的新工厂将陆续在2027年、2028年和2030年投产。
德意志银行的分析师指出了积极因素：当前DRAM库存紧张，而HBM需求持续高涨，这对美光构成利好。但分析师Melissa Weathers也警告，竞争对手可能增加的供给或将给芯片价格带来压力。
今日，美光管理层正参加在纽约举行的Wolfe Research汽车、汽车科技与半导体大会。市场期待从中获取关于公司竞争地位与HBM技术路线图的最新信息。
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