Micron在多重利好推动下，股价走出强劲态势。除了对HBM4生产状态的关键澄清外，市场对存储行业的需求预期也明显回升。此前关于 Micron 在高带宽内存（HBM）供货时点的质疑，也成为焦点，管理层给出明确回应。
周三，股价上涨近10%，收盘于410,34 US-Dollar。周四在大盘走弱之际再获支撑，表现依然坚挺。
- HBM4据CFO称处于“High-Volume-Produktion”（高量产阶段）
- 第一个财季的出货规模提升被描述为“erfolgreich”（成功），且达成时间比最初预期提前一个季度
- 面向2026财年的HBM供货已实现“ausverkauft”（全部售罄）
- 多家券商最近显著提升了对美光的目标价
CFO对HBM4的疑问进行了解答
周四，首席财务官Mark Murphy否认了将公司形容为“unpräzise”（不准确）的报道。核心要点在于：美光的HBM4已经进入批量生产、且产量处于高水平。同时，对客户的出货在第一财季已经成功推进，时间比原定计划提前一个季度。
市场对这一表述反应积极：周四美光股价据报道大约上涨约11美元，尽管大盘指数整体有所承压。此外，指出美光已将2026财年的HBM产能全部售出，凸显AI相关存储解决方案的火热程度。
华尔街目标价上涨潮涌—DRAM价格提振预期
在过去几天里，若干投资银行上调了对美光的目标价，理由多围绕DRAM市场价格走高及供给紧张：
- 摩根士丹利：450 USD（此前为350 USD）
- 德意志银行：500 USD（此前为300 USD）
- UBS：450 USD（此前为400 USD）
- Mizuho：480 USD（新设目标）
摩根士丹利分析师约什·摩尔（Joseph Moore）指出，DDR5的现货价格自年初以来已大幅上涨，约30%；现货价格相比1月的合同价水平目前约高出约130%。
行业信号与HBM市场前景持续走强
另有行业消息为市场提供更多提振。三星电子CTO宋在铎（Song Jai-hyuk）在Semicon Korea 2026上表示，AI驱动的基础设施需求至少将持续到2027年，且三星正在加速HBM4芯片的量产，美光与其同处HBM高端市场竞争。联想方面亦传出存储价格在上个季度上涨了约40%至50%，并在本季度有可能翻番的迹象。
从宏观层面看，HBM市场预计将从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元区间。
市场份额分布与未来挑战
在DRAM总市场份额方面，美光约占25,7%，落后于SK海力士（33,2%）和三星（32,6%）。在HBM细分市场，美光的份额约为11%（SK海力士53%，三星35%）。核心问题转向：美光是否能够将HBM4阶段的产能领先转化为更高的市场份额？
投资计划与并购意向
展望未来，美光计划在资本支出上维持高水平，包括对纽约 Megafab 的1000亿美元级承诺，以及新加坡和台湾等区域项目。同时，公司宣布拟以现金方式收购台湾Powerchip的P5晶圆厂基地，交易金额为1,8十亿美元，预计在2026年第二季度前后完成。
注记
- HBМ4：HBM第四代内存
- 2026财年：指公司所属的财政年度
- 1,8 Mrd. US-Dollar：1.8十亿美元；具体写法请以原文为准
- 410,34 US-Dollar：周三收盘价，含逗号的小数格式
- 11 US-Dollar：周四股价涨幅的近似数值，用于描述市场反应
- DDR5：第四代DDR内存标准
总体而言，美光的HBM4产能清晰度与对存储市场需求的强烈预期共同推动了股价的反弹；同时，华尔街上调目标价的趋势也反映了市场对DRAM与HBM相关利好持续性的共识。未来几季的产能执行与市场需求是否能够转化为更高的市场份额，仍是关键关注点。
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